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磁控濺射儀MSP-1S的原理分析

發布時間:2024-03-31 點擊量:56

 磁控濺射儀MSP-1S的原理分析


圖片


圖中可以看出存在e,e1, e2, e3四種電子,除此之外,還存在Ar和其分離出的Ar+離子 ;施加電場E,方向向下;靶材置于陰極。

一、電場E的作用

電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。

在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內,并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,從而實現了高的沉積速率。

隨著碰撞次數的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。

二、磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程

入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程,和靶原子碰撞,把部分動量傳給靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量,離開靶被濺射出來。

三、磁控濺射一般分為直流濺射和射頻濺射

磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,其中直流濺射設備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛,除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。


image.png

MSP-1S

該設備專用于貴金屬薄膜鍍膜,用于SEM觀察。這是一種用貴金屬涂覆 SEM 樣品以防止充電并提高二次電子產生效率的裝置。除了使用磁控管靶電極進行低壓放電外,還將樣品臺制成浮動式,以減少電子束流入對樣品造成的損壞。操作簡單,按一下按鈕即可,沒有任何技巧。它很小,不占用太多空間。它放在辦公桌的一角會很有用。
目的
這是用于SEM樣品的金屬鍍膜裝置。

主要產品規格

物品規格
電源AC100V(單相100V 10A)3P帶地插頭1口
旋轉泵10L/min(裝置內置)
設備尺寸寬200mm x 深350mm x 高345mm
(設備重量:14.6Kg)
樣品室尺寸內徑120mm x 高65mm(硬玻璃)
樣品臺尺寸直徑50mm(浮動法)
電極-樣品臺距離35mm(使用輔助樣品臺時為25mm)
靶電極內置永磁體的磁控管型靶電極
目標金屬規格Φ51mm,厚度0.1mm
Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、Ag


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